Latyshev, Alexander Vasilievich
| Alexander Vasilievich Latyshev | ||
|---|---|---|
| Födelsedatum | 4 januari 1959 (63 år) | |
| Land | Sovjetunionen → Ryssland | |
| Vetenskaplig sfär | halvledarfysik | |
| Arbetsplats | Institutet för halvledarfysik A. V. Rzhanova SB RAS | |
| Alma mater | Novosibirsk State University | |
| Akademisk examen | Doktor i fysikaliska och matematiska vetenskaper | |
| Akademisk titel | Akademiker vid Ryska vetenskapsakademin ( 2016 ) | |
| Utmärkelser och priser |
|
|
Alexander Vasilyevich Latyshev (född 4 januari 1959 ) är en rysk forskare, specialist inom området syntes av film- och nanoskala halvledarstrukturer från molekylstrålar, halvledarnanoteknik för en ny generation av elementbasen för nanoelektronik och strukturell diagnostik av lågdimensionell systems, doktor i fysikaliska och matematiska vetenskaper, akademiker ( 2016 ), chef för Institutet för halvledarfysik uppkallad efter A. V. Rzhanova SB RAS (sedan 2013 ), chef för laboratoriet för nanodiagnostik och nanolitografi (sedan 1998 ).
Biografi
Född 4 januari 1959 .
Utexaminerad från fakulteten för fysik vid Novosibirsk State University .
Sedan 1998 har han varit chef för Laboratory of Nanodiagnostics and Nanolithography.
Sedan 2007 har han varit biträdande forskningsdirektör vid Institute of Semiconductor Physics. A.V. Rzhanova SB RAS .
2008 valdes han till en korresponderande medlem av den ryska vetenskapsakademin vid avdelningen för nanoteknologi och informationsteknologi vid den ryska vetenskapsakademin (special "nanoelektronik").
Sedan 2013 har han varit chef för Institute of Semiconductor Physics. A.V. Rzhanova SB RAS .
Under ledning av A. V. Latyshev försvarades 3 doktorsavhandlingar. Han är författare och medförfattare till mer än 250 vetenskapliga publikationer, 3 monografier, 9 kapitel i samlade monografier, 6 patent.
Vetenskapliga intressen
Huvudriktningen för vetenskaplig aktivitet av A. V. Latyshev är studiet av mekanismerna för atomära processer på ytan och gränssnitt under bildandet av lågdimensionella halvledarsystem för en ny generation av elementbasen för mikro- och nanoelektronik. Resultaten av hans arbete utgör grunden för modern elektronisk materialvetenskap.
A. V. Latyshev och hans medarbetare arbetar för att förbättra de befintliga och skapa nya nanolitografimetoder, i synnerhet i laboratoriet som leds av honom har högupplösta elektronstrålelitografimetoder använts för att erhålla strukturer med storlekar upp till 10 nm, där kvantum fenomen observerades under laddningsöverföring. Särskilda framsteg har gjorts i utvecklingen av nanolitografimetoder med användning av scanning-sondmikroskop.
Under ledning av A. V. Latyshev genomför ISP SB RAS många studier om diagnostik av halvledarmaterial och enheter för mikro- och nanoelektronik med hjälp av högupplöst, skanning, reflekterande elektronmikroskopi, såväl som skanningsprobmikroskopi baserad på ett atomkraftmikroskop.
Vetenskapliga landvinningar
Det mest betydelsefulla resultatet av A. V. Latyshevs arbete var skapandet av ett unikt system av ultrahögvakuumreflekterande elektronmikroskopi för in situ karakterisering av atomära processer under molekylär strålepitaxi, fastfasreaktioner och interaktionen av gaser med ytan av enkristall. kisel. A. V. Latyshev utförde en serie banbrytande arbeten för att studera strukturella omarrangemang på kiselytor, vilket introducerade en fundamentalt ny förståelse för fysiken för bildandet av submonolagerbeläggningar. För första gången var effekten av elektromigrering av adsorberade kiselatomer, som orsakar en omfördelning av elementära atomstegen på kiselytan, teoretiskt underbyggd och upptäckts experimentellt. För första gången fastställdes påverkan av ytfasövergångar på klustringen av monoatomiska steg på kiselytan, strukturen på högtemperaturkiselytan fastställdes och den onormala rörelsen av steg under en superstrukturell övergång upptäcktes. De erhållna resultaten används för att utveckla och förbättra tekniken för molekylär strålepitaxi och tillhandahålla sätt att skapa nya enheter för halvledarnanoelektronik baserade på de upptäckta effekterna av självorganisering på kiselytan.
Utmärkelser och hederstitlar
Ryska federationens regerings pris inom utbildningsområdet ( 2014 ) [1]
Anteckningar
- ↑ Dekret från Ryska federationens regering av den 31 juli 2014 N 1438-r "Om tilldelning av priser från Ryska federationens regering 2014 inom utbildningsområdet"
Länkar
- Profil av Alexander Vasilyevich Latyshev på den officiella webbplatsen för den ryska vetenskapsakademin
- A. V. Latyshevs sida på webbplatsen för Institute of Semiconductor Physics. A. V. Rzhanova SB RAS
 Tematiska platser | |
|---|---|
| I bibliografiska kataloger |