Alexander Alexandrovich Lebedev | |
---|---|
Födelsedatum | 1959 |
Land | Sovjetunionen → Ryssland |
Vetenskaplig sfär | halvledarfysik |
Arbetsplats |
FTI RAS , St. Petersburg Electrotechnical University |
Alma mater | LETI |
Akademisk examen | Doktor i fysikaliska och matematiska vetenskaper |
Akademisk titel | Professor |
Mediafiler på Wikimedia Commons |
Aleksandr Aleksandrovich Lebedev (född 1959 , USSR) är en sovjetisk och rysk experimentell fysiker . Specialiserat sig på studier av de fysikaliska egenskaperna hos kiselkarbid och andra halvledare med breda gap , utvecklar enheter baserade på sådana material. Författare till mer än 300 vetenskapliga artiklar om detta ämne. För närvarande är han chef för laboratoriet och avdelningen vid Fysisk-tekniska institutet. A. F. Ioffe RAS , berg. Sankt Petersburg . Doktor i fysikaliska och matematiska vetenskaper, professor.
Född 1959. Sonen och fullständiga namne till Alexander Aleksandrovich Lebedev (1929-1999), en fysiker, doktor i vetenskaper, som arbetade hela sitt liv på Fysiotekniska institutet. Mor till Lebedev Jr., Maya Avgustovna (1929-2003), är en vetenskapskandidat, också en anställd vid Physicotechnical Institute. Farfars far, Alexander Alekseevich (1893–1969), var en optiker, anställd vid State Optical Institute , en akademiker vid USSR Academy of Sciences [1] .
Efter att ha avslutat sina studier vid LETI anställdes han av Physicotechnical Institute i laboratoriet, då ledd av V. E. Chelnokov . Han dök upp på institutet som student (som praktikant i I. V. Grekhovs laboratorium ). Under sina första arbetsår interagerade han aktivt med sin far, tillsammans publicerade de flera artiklar. På Phystech gick Lebedev igenom alla steg på karriärstegen från senior laboratorieassistent till chefen för laboratoriet och samtidigt Institutionen för Solid State Electronics. Han blev doktor i fysikaliska och matematiska vetenskaper [2] .
Parallellt med sitt vetenskapliga arbete undervisade han vid St Petersburg Electrotechnical University [3] . Nu innehar han tjänsten som professor vid institutionen för optoelektronik.
2019 var han en av tre utmanare till posten som direktör för FTI RAS [2] .
Pristagare av S:t Petersburgs regerings pris för enastående vetenskapliga resultat inom området vetenskap och teknik 2020: i nomineringen av fysik och astronomi - priset. A.F. Ioffe (dekret från S:t Petersburgs regering av den 21 december 2020 nr 1115) för studiet av de elektriska egenskaperna hos kiselkarbid och utvecklingen av anordningar baserade på den [4] .
Lebedev är specialist inom fysik, teknik och instrumentella tillämpningar av halvledare med breda gap , främst kiselkarbid . Med hans medverkan [2] :
Författare till mer än 300 publikationer, inklusive monografier och 6 upphovsrättscertifikat och patent [5] .
I samarbete med Lebedevs laboratorium och Svetlana-Elektronpribor PJSC utvecklades och implementerades en teknik för tillverkning av högfrekventa SiC- stiftdioder , och produktionen av SiC-enkristaller organiserades också.
Förberedde tre vetenskapskandidater.
Han är medlem i två avhandlingsråd , är medlem i redaktionen för tidskriften "Advanced Materials Letters".
Medlem av det vetenskapliga rådet för den ryska vetenskapsakademin "Radiation Solid State Physics" sedan 2020 [6] . Medlem av expertrådet för Russian Science Foundation , koordinator för sektionen: fysik och rymdvetenskap [7] .
Han är medlem i programkommittéerna för ett antal internationella konferenser om kiselkarbids fysik och relaterade material [2] .