Orlikovsky, Alexander Alexandrovich
Den aktuella versionen av sidan har ännu inte granskats av erfarna bidragsgivare och kan skilja sig väsentligt från versionen som granskades den 22 juli 2021; kontroller kräver 2 redigeringar .| Alexander Alexandrovich Orlikovsky | |||
|---|---|---|---|
| Födelsedatum | 12 juni 1938 | ||
| Födelseort | Moskva , Sovjetunionen | ||
| Dödsdatum | 1 maj 2016 (77 år) | ||
| Land | Sovjetunionen → Ryssland | ||
| Vetenskaplig sfär | mikro- och nanoelektronik | ||
| Arbetsplats | FTIAN | ||
| Alma mater | MEPhI | ||
| Akademisk examen | Doktor i tekniska vetenskaper | ||
| Akademisk titel |
professor , akademiker vid Ryska vetenskapsakademin |
||
| Utmärkelser och priser |
|
||
Alexander Alexandrovich Orlikovsky ( 12 juni 1938 , Moskva - 1 maj 2016 , Moskva) - sovjetisk och rysk fysiker, doktor i tekniska vetenskaper (1982), professor (1984), akademiker vid Ryska vetenskapsakademin (2008), direktör och vetenskaplig chef för Institutet för fysik och teknik RAS (FTIAN).
Biografi
Född 1938 i familjen till en vitryssare , infödd i Vitebsk-provinsen , deltagare i inbördeskriget , stabschefen för 8:e Far Eastern Cavalry Division av OKDVA , överste i Röda armén Alexander Ivanovich Orlikovsky, och en Muskovit från en före detta köpmannafamilj , Natalia Sergeevna Malkova. Redan före födelsen av A.A. Orlikovsky, hans far var förtryckt .
Vetenskaplig karriär
Examen från Moskvas tekniska fysikinstitut 1961 .
1961-1963 arbetade han vid Allied Research Institute of Instrument Engineering.
1963-1966 var han en doktorand vid Moskvainstitutet för elektronikteknik .
1969 - 1984 (successivt) universitetslektor, docent, professor vid avdelningen för integrerade halvledarkretsar (nu avdelningen för integrerad elektronik och mikrosystem) vid Moskvainstitutet för elektronisk teknik .
1981-1985 var han seniorforskare inom mikroelektroniksektorn vid Physical Institute. P. N. Lebedeva (FIAN), 1985 - 1988 chef för laboratoriet för mikrostrukturering och submikronenheter vid avdelningen för mikroelektronik vid Institutet för allmän fysik (IOFAN).
Sedan 1988 (efter separationen av avdelningen till Institutet för fysik och teknik ) chef för laboratoriet ( 1988 - 2001 ), biträdande direktör för vetenskapligt arbete ( 2001 - 2005 ), direktör ( 2005 - 2015 ), vetenskaplig chef för FTIAN ( 2015 - 2016 ).
Med utgångspunkt från hans arbete på MIET var Orlikovskys vetenskapliga karriär och verksamhet nära förknippad med akademikern K.A. Valiev . Orlikovskii, liksom Valiev, flyttade successivt först till FIAN, sedan till IOFAN och till FTIAN. 2005 , när Valiev avgick från posten som direktör för FTIAN, var det Orlikovsky som valdes till ny direktör.
Han föreläste vid Institutionen för fysiska och tekniska problem inom mikroelektronik , fakulteten för fysik och kvantelektronik, Moskvainstitutet för fysik och teknologi [1] .
Motsvarande ledamot av den ryska vetenskapsakademin ( 2000 ), akademiker vid den ryska vetenskapsakademin ( 2006 ) vid institutionen för nanoteknologi och informationsteknologi .
Han dog den 1 maj 2016 i Moskva . Han begravdes på Troekurovsky-kyrkogården (tomt 25a) [2] .
Huvudsakliga vetenskapliga resultat- Pionjärarbete med integrerade halvledarminneskretsar (koncept, samplingskretsar, strukturer, kollektiva fenomen) utfördes med introduktionen av specialutrustning.
- Plasmaprocesser (etsning, avsättning, implantation, etc.) har utvecklats inom tekniken för kiselnanoelektronik; metoder för att övervaka plasmaprocesser har utvecklats, mycket känsliga detektorer för ögonblicket för slutförandet av processer har skapats; en lågtemperaturplasmatomograf utvecklades för att övervaka 2D-fördelningarna av koncentrationerna av radikaler och joner.
- Originaldesigner av mikrovågs- och HF-källor för mycket homogena täta plasmaflöden har utvecklats; automatiserade tekniska plasmainstallationer utformade för både forsknings- och industriella ändamål har skapats.
- Ny teknik för silicidisering av kontakter till grunda pn-övergångar har utvecklats; prioriterade resultat erhölls i studier av kinetiken för fasbildning av silicider.
- En fysisk modell av ballistiska nanotransistorer med en kisel-på-isolator-struktur har utvecklats med hänsyn till kvanteffekter; skapade nanotransistorer med kanaler under 100 nm.
Utmärkelser
- Vänskapsorden
- Pris från Ryska federationens regering inom området vetenskap och teknik
- Pris från Ryska federationens regering inom utbildningsområdet ( 2013 ) - (tillsammans med Prof. FRTK MIPT S.N. Garichev , Prof. A.V. Starovoitov , Prof. Yu.V. Protasov och andra) för vetenskaplig och praktisk utveckling "Skapande av kunskapsbasen "Elektronik" baserad på genereringen av en serie tematiska databaser och databanker om de grundläggande delarna av fysisk och tillämpad elektronik och publiceringen av en serie läroböcker och manualer "Elektronik vid ett tekniskt universitet" [3]
Anteckningar
- ↑ Institutionen för fysiska och tekniska problem inom mikroelektronik FFKE MIPT
- ↑ ORLIKOVSKY Alexander Alexandrovich (1938–2016) . Hämtad 19 mars 2017. Arkiverad från originalet 19 mars 2017.
- ↑ Om tilldelningen av priserna från Ryska federationens regering 2013 inom utbildningsområdet . Hämtad 22 juli 2021. Arkiverad från originalet 22 juli 2021.
Länkar
- Information på RAS hemsida
- Biografi på FTIAN-webbplatsen
- Akademikern Orlikovsky Alexander Alexandrovich är 70 år gammal! // Ryska vetenskapsakademins webbplats
 Ordböcker och uppslagsverk | ||||
|---|---|---|---|---|
| ||||