Kirk effekt

Kirk-effekt - fenomenet att öka tjockleken på basen av en bipolär transistor , orsakad av en ökning av kollektorströmmen över ett visst värde, medan andra förhållanden är oförändrade. $I_{CK}$

Detta förklaras av en ökning av koncentrationen av minoritetsbärare i basen vid höga kollektorströmmar, vilket orsakar en minskning av tjockleken på rymdladdningsområdet i kollektorövergången, och därmed en ökning av basens tjocklek. Tröskelvärdet för kollektorströmmen , från vilket Kirk-effekten uppträder, bestäms från villkoret att elektronkoncentrationen som orsakas av strömflödet överstiger föroreningskoncentrationen vid basgränsen från sidan av kollektorn, det vill säga från skick . Det följer av detta: Kirk-effekten minskar strömförstärkningen och ökar transittiden för minoritetsbärare genom basen. $I_{CK}$ $I_{CK}$ $N_{B}$ ${\frac {I_{CK}}{Sev_{s}}}>N_{B}$ $I_{CK}>Sev_{s}N_{B}$ $\beta _{F}={\frac {|I_{C}|}{|I_{B}|}}$

Se även

Tidig effekt

Litteratur

Sugano, T., Ikoma T., Takeishi Y. Introduktion till mikroelektronik. - M.: Mir, 1988. - S. 102. - ISBN 5-03-001109-9 .