Indiumnitrid
| indiumnitrid | |
|---|---|
| Allmän | |
| Systematiskt namn |
Indiumnitrid (III). |
| Chem. formel | Värdshus |
| Fysikaliska egenskaper | |
| stat | svarta kristaller |
| Molar massa | 128,83 g/ mol |
| Densitet | 6,86-6,91 g/cm³ |
| Klassificering | |
| Reg. CAS-nummer | 25617-98-5 |
| PubChem | 117560 |
| Reg. EINECS-nummer | 247-130-6 |
| LEDER | [Värdshus |
| InChI | InChI=1S/In.NNWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N |
| ChemSpider | 105058 |
| Data baseras på standardförhållanden (25 °C, 100 kPa) om inget annat anges. | |
Indiumnitrid ( InN ) är en binär oorganisk förening av indiummetall och kväve med formeln InN, svarta kristaller.
Får
- Nedbrytning av det komplexa natriumhexafluorindiatet i ammoniakatmosfär :
![{\displaystyle {\mathsf {Na_{3}[InF_{6}]+NH_{3}\ \xrightarrow {600^{o}C} \ InN+3NaF+3HF)).}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/67efe54254ecb0f67c25b0cb839f7cab4e7a7694)
- Nedbrytning av ammoniumhexafluorindiat :
![{\displaystyle {\mathsf {(NH_{4})_{3}[InF_{6}]\ \xrightarrow {600^{o}C} \ InN+2NH_{4}F+4HF)).}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/7e8175c6dd03b0dcc4127b4414d78daf321278df)
Fysiska egenskaper
Indiumnitrid bildar svarta diamagnetiska hexagonala kristaller , rymdgrupp P 6mc , cellparametrar a = 0,3533 nm, c = 0,5692 nm, Z = 2.
En halvledare med ett bandgap på ~0,7 eV, beroende på temperatur. Vid temperaturer under 4 K - supraledare .
Applikation
Indiumnitrid tillsätts till galliumnitrid vid tillverkning av ultravioletta blå lysdioder . Det är också lovande som material för solbatterier, med utnyttjande av ljus med en våglängd på upp till 1900 nm.
Lite [1] ratura
- Handbok för en kemist / Redaktion: Nikolsky B.P. m.fl. - 2:a uppl., korrigerad. - M. - L .: Kemi, 1966. - T. 1. - 1072 sid.
- Ripan R., Chetyanu I. Oorganisk kemi. Kemi av metaller. - M . : Mir, 1971. - T. 1. - 561 sid.
Anteckningar
- ↑ T. Inushima, V. V. Mamutin, et al. [J.Cryst.Growth, 227/228, 481-485, 2001. Fysiska egenskaper hos InN med bandgap lägre än 1,0 eV.] // Proc. av XI-th Intern.Conf. på MBE, Peking, 2000. - 2000. - 1 september ( nr 227/228 ). - S. 481-485 .