Temperaturberoende av motstånd

Den aktuella versionen av sidan har ännu inte granskats av erfarna bidragsgivare och kan skilja sig väsentligt från versionen som granskades den 21 februari 2017; kontroller kräver 5 redigeringar .

Motståndet hos en homogen ledare med konstant tvärsnitt beror på egenskaperna hos ledarens ämne, dess längd och tvärsnitt enligt följande: $R$

R={\frac {\rho \cdot l}{S}}

var är resistiviteten hos ledarmaterialet, är längden på ledaren och är tvärsnittsarean. Resistivitetens reciproka kallas konduktivitet . Detta värde är relaterat till temperaturen med Nernst-Einstein-formeln: $\rho$ $l$ $S$

\sigma ={\frac {DZ^{2}e^{2}C}{k_{\rm {B}}T}}

var

$T$ — ledartemperatur;
$D$ är diffusionskoefficienten för laddningsbärare;
$Z$ är mängden elektriska laddningar av bäraren;
$e$ - elementär elektrisk laddning ;
$C$ är koncentrationen av laddningsbärare;
$k_B$ är Boltzmann-konstanten .

Därför är resistansen hos en ledare relaterad till temperaturen genom följande förhållande:

R={\frac {l\cdot k_{\rm {B}}T}{SDZ^{2}e^{2}C}}

Motståndet beror på parametrarna och . $S$ $l$