Sovjetiska mikrochips för att bygga lagringsenheter

Halvledarlagringsenheter används ofta för att bygga datorminne, både random access memory och permanent minne. Ofta är dessa enheter byggda på mikrochips . Beroende på designkraven för datorn som skapas görs valet av typ, typ och specifik serie av mikrokretsar.

Sammanfattning av mikrokretsar som används i Sovjetunionen för att skapa datorminne

Halvledar -LSI - minnesenheter som används i datorer

Sorts	Tillverkningsteknik _	Informationsvolym , bit	Organisation, ord × siffror	Adresshämtningstid , ns	Strömförbrukning , mW
Statiskt RAM
K550RU145	ESL	64	1×1	tio	825
K531RU11P	TTLSH	64	16×1	40	550
K155RU5	TTL	256	256×1	90	735
K176RU2	CMOS	256	256×1	900	19
K561RU2A/B	CMOS	256	256×1	970/1600	2,8/5
K132RU2A/B	n-MOS	1 TILL	1K×1	950	440
K132RU3A/B	n-MOS	1 TILL	1K×1	75/125	660
K155RU7	TTL	1 TILL	1K×1	45	840
K537RU1A/B/V	CMOS	1 TILL	1K×1	800/1300/2500	0,5
KR565RU2A/B	n-MOS	1 TILL	1K×1	450/850	385
KM132RU8A/B	n-MOS	4 K	1K×4	60/100	900
K541RU2A	I2L	4 K	1K×4	120/90	525
KR537RU3A/B/V	CMOS	4 K	4K×1	320	110
KR537RU4A/B	CMOS	4 K	4K×1	200/300 350/500 (cykel)	0,125 (lagring) 100 (dynamisk)
KR537RU6A/B	CMOS	4 K	4K×1	160/300 240/390 (cykel)	0,05/0,15 (lagring)
KR537RU11A/B/V	CMOS	4 K	0,25K × 16	300/300/430 (cykel)	0,15/0,4/1,5 (lagring)
KR537RU13/A/B	CMOS	4 K	1K×4	160/95/160 (cykel)	25 (lagring) 250 (dynamisk)
KR537RU14A/B	CMOS	4 K	4K×1	80/130 (cykel)	25 (lagring) 175 (dynamisk)
K541RU31…34	I2L	8 K	8K×1	150	565
KR537RU8A/B	CMOS	16 K	2K×8	220/400	5/10 (lagring) 50/100 (dynamisk)
KR132RU6A/B	n-MOS	16 K	16K×1	75/120	140/440
K541RU3/A	I2L	16 K	16K×1	150/100	565
KR537RU9A/B	CMOS	16 K	2K×8	190/340 350/500 (cykel)	1/2,5 (lagring) 175 (dynamisk)
KR537RU10	CMOS	16 K	2K×8	450 450 (cykel)	25 (lagring) <300 (dynamisk)
KR537RU25A/B/V	CMOS	16 K	2K×8	450 450 (cykel)	0,025...0,05 (lagring) <250 (dynamisk)
KR537RU18	CMOS	16 K	16K×1	150	1,25...2 (lagring) 100 (dynamisk)
KR537RU16A/B/W/G	CMOS	64 K	8K×8	150...400 150...400 (cykel)	5...10 (lagring) 175...250 (dynamisk)
KR537RU17	CMOS	64 K	8K×8	130 130 (cykel)	0,38...0,75 (lagring) 350 (dynamisk)
KR537RU19/A/B	CMOS	64 K	64K×1	65...95	1,25 (lagring) 350 (dynamisk)
Dynamiskt RAM
KR565RU6B/W/G/D	n-MOS	16 K	16K×1	230…460	150/140/130/120
K565RU5B/W/G/D	n-MOS	64 K	64K×1	230…460	21…32
K565RU7V/G/D	n-MOS	256 K	256K×1	340/410/500	120…150
Mask ROM
K155RE21/22/23/24	TTL	1 TILL	256×4	70	690
KR568RE2	n-MOS	64 K	8K×8	400	590
K569RE1	TTL	64 K	8K×8	350	640
KR568RE3	n-MOS	64 K	16K×4	800	300
Engångsprogrammerbara ROM
KR556RT1B	TTLSH	8 K	2K×4	60	740
KR556RT16	TTLSH	64 K	8K×8	85	1000
KR556RT17	TTLSH	4 K	0,512K×8	femtio	890
KR556RT18	TTLSH	16 K	2K×8	60	950
Omprogrammerbara ROM
K573RF23/24	n-MOS	8 K	2K×4	450	200/580
K573RF33/34	n-MOS	16 K	1K×16	200/580	200/580
K573RF2	n-MOS	16 K	2K×8	450	200/580
K537RF5	n-MOS	16 K	2K×8	450	135/580
K573RF31/32	n-MOS	32 K	2K×16	450	450
K537RF41/42	n-MOS	32 K	4K×8	500	700
K573RF43/44	n-MOS	32 K	8K×4	N/A	N/A
K573RF3	n-MOS	64 K	4K×16	450	210/450
K573RF4	n-MOS	64 K	8K×8	500	200/700
K573RF6	n-MOS	64 K	8K×8	500	265/870

Chips för att bygga RAM

IC	Typ av skal	Notera
K132-serien n-MOS statiskt RAM; +5 V
K132RU3A	4112.16-2	Statiskt RAM 1K×1; 60 ns
K132RU3B	4112.16-2	Statiskt RAM 1K×1; 110 ns
KM132-serien n-MOS statiskt RAM; +5 V
KM132RU3A	201.16-8	Statiskt RAM 1K×1; 60 ns
KM132RU3B	201.16-8	Statiskt RAM 1K×1; 110 ns
KM132RU5A	2104.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 60 ns
KM132RU5V	2104.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 55 ns
KM132RU8A	2104.18-1	Statiskt RAM 1K×4; 60 ns
KM132RU8B	2104.18-1	Statiskt RAM 1K×4; 100 ns
KM132RU9A	2104.18-1	Statiskt RAM 1K×4; 50 ns
KM132RU9B	2104.18-1	Statiskt RAM 1K×4; 90 ns
KR132-serien n-MOS statiskt RAM; +5 V
KR132RU3A	2103.16-6	Statiskt RAM 1K×1; 60 ns
KR132RU3B	2103.16-6	Statiskt RAM 1K×1; 110 ns
KR132RU4A	2103.16-6	Statiskt RAM 1K×1; 33 ns
KR132RU4B	2103.16-6	Statiskt RAM 1K×1; 50 ns
KR132RU6A	2140 Yu.20-3	Statiskt RAM 16K×1; 45 ns; 410 mW
KR132RU6B	2140 Yu.20-3	Statiskt RAM 16K×1; 70 ns; 410 mW
KR132RU7	2140 Yu.20-3	Statiskt RAM 2K×8; 250 ns
Serie KM185 TTL RAM; +5 V
KM185RU7	2108.22-1	RAM 256×4; 75 ns; 495 mW
KM185RU7A	2108.22-1	RAM 256×4; 45 ns; 450 mW
KM185RU8	2108.22-1	RAM 256×8; 45 ns; 925 mW
KM185RU10	2108.22-1	RAM 16K×1; 50 ns; 750 mW
KR185-serien TTL RAM; +5V
KR185RU7	210A.22-3	RAM 256×4; 75 ns; 495 mW
KR185RU7A	210A.22-3	RAM 256×4; 45 ns; 450 mW
KR188-serien CMOS statiskt RAM-minne
KR188RU2A	238,16-1	Statiskt RAM 256×1; 500 ns
K537-serien CMOS statiskt RAM; +5 V
K537RU3A	4116.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 250 ns
K537RU3B	4116.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 160 ns
K537RU4A	4116.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 200 ns; 40 μW (i informationslagringsläge)
K537RU4B	4116.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 300 ns; 80 μW (i informationslagringsläge)
K537RU4V	4116.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 500 ns; 80 μW (i informationslagringsläge)
K537RU13	427,18-2,02	Statiskt RAM 1K×4; 150 ns; 60 μW (i informationslagringsläge)
KM537-serien CMOS statiskt RAM; +5 V
KM537RU1	201.16-15	Statiskt RAM 1K×1; 300 ns
KP537-serien CMOS statiskt RAM; +5 V
KR537RU1	238,16-1	Statiskt RAM 1K×1; 300 ns
KR537RU2A	2107.18-4	Statiskt RAM 4K×1; 300 ns
KR537RU2B	2107.18-4	Statiskt RAM 4K×1; 430 ns
KR537RU3A	2107.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 250 ns; 100 mW; 5 μW (i informationslagringsläge)
KR537RU3B	2107.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 160 ns; 100 mW; 250 μW (i informationslagringsläge)
KR537RU5A	210A.22-3	Statiskt RAM 1K×4; 300 ns
KR537RU5B	210A.22-3	Statiskt RAM 1K×4; 400 ns
KR537RU8A	239,24-2	Statiskt RAM 2K×8; 220 ns
KR537RU8B	239,24-2	Statiskt RAM 2K×8; 400 ns
KR537RU10A	239,24-2	Statiskt RAM 2K×8; 200 ns
KR537RU11A	239,24-2	Statiskt RAM 256x16; 440 ns; 1,5 mW (i lagringsläge)
KR537RU11B	239,24-2	Statiskt RAM 256x16; 440 ns; 2,4 mW (i lagringsläge)
KR537RU13	2107.18-1	Statiskt RAM 1K×4; 160 ns
Serie K541 TTLSH-IIL; +5 V
K541RT1	402.16-21	ROM 256×4; 80 ns; 400 mW
K541RU2	427,18-2,03	Statiskt RAM 1K×4; 120 ns
K541RU2A	427,18-2,03	Statiskt RAM 1K×4; 90 ns; 525 mW
Serie KR541 TTLSH-IIL; +5 V
KR541RU1	2107.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 100 ns; 490 mW
KR541RU1A	2107.18-1	Statiskt RAM 4K×1; 70 ns; 450 mW
KR541RU2	2107.18-1	Statiskt RAM 1K×4; 120 ns; 550 mW
KE565-serien n-MOS RAM
KE565RU1A	2108.22-8	Dynamiskt RAM 4K×1; 400 ns; +5, -5, -12 V
KE565RU1B	2108.22-8	Dynamiskt RAM 4K×1; 590 ns; +5, -5, -12 V
KR565-serien n-MOS RAM
KR565RU1A	210A.22-3	Dynamiskt RAM 4K×1; 400 ns; +5, -5, -12V
KR565RU1B	210A.22-3	Dynamiskt RAM 4K×1; 590 ns; +5, -5, -12V
KR565RU5V	2103.16-8	Dynamiskt RAM 64K×1; 150 ns; +5V; 195 mW
KR565RU5G	2103.16-8	Dynamiskt RAM 64K×1; 200 ns; +5V; 185 mW
KR565RU5E	2103.16-8	Dynamiskt RAM cirka 64K×1; 250 ns; +5V; 160 mW
KR565RU6B	2103.16-2	Dynamiskt RAM 16K×1; 120 ns; +5V; 140 mW
KR565RU6V	2103.16-2	Dynamiskt RAM 16K×1; 150 ns; +5V; 120 mW
KR565RU6G	2103.16-2	Dynamiskt RAM 16K×1; 200 ns; +5V; 115 mW
KR565RU6D	2103.16-2	Dynamiskt RAM 16K×1; 250 ns; +5V; 110 mW
Serie K1500 ESL med ökad hastighet; -4,5 V
K1500RU073	4114.24-3	RAM 64×4, 6 ns; 990 mW
Serie KM1603
KM1603RU1	210A.22-1	Statiskt RAM 256x4; 360 ns; 75 μW (i informationslagringsläge)

K565RU3

K565RU3 - en elektronisk komponent, ett dynamiskt direktåtkomst- RAM -chip med en kapacitet på 16 384 bitar och en organisation på 16 384 × 1.

K565RU7

Mikrokretsen K565RU7 är en enhet med slumpmässig sampling av dynamisk typ med en kapacitet på 262 144 bitar (organisation på 262 144 × 1 bit) gjord med halvledarteknik på n-kanals MOSFETs .

Chips för att bygga ROM

IC	Typ av skal	Notera
Serie KR556 TTLSH-PPZU;
KR556RT2	2121.28-1	PLM-matris, 16 ingångsvariabler, 48 konjunktioner, 8 utgående variabler, TS
KR556RT4	238,16-2	ROM 256×4; OK; 70 ns; 683 mW
KR556RT4A	238,16-2	ROM 256×4; OK; 45 ns; 683 mW
KR556RT5	239,24-2	ROM 512×8; OK; 70 ns; 1W
KR556RT6	239,24-2	ROM 2Kx8; OK; 80 ns; 1W
KR556RT7	239,24-2	ROM 2Kx8; TS; 80 ns; 1W
KR556RT11	238,16-2	ROM 256×4; TS; 45 ns; 650 mW
KR556RT16	239,24-2	ROM 8Kx8; TS; 85 ns; 950 mW
KR556RT18	239,24-2	ROM 2Kx8; TS; 60 ns; 900 mW
KR556RT20	239,24-2	ROM 1Kx8; TS; 30 ns; 960 mW
Serie KR558 EEPROM; +5, -12V
KR558RR1	405,24-7	EEPROM 256×8; 5 µs; 370 mW
KR558RR2A	405,24-7	EEPROM 2Kx8; 350 ns; 490 mW
KR558RR2B	405,24-7	EEPROM 2Kx8; 700 ns; 490 mW
KR558RR4	2121.28-5	EEPROM 8Kx8; 400 ns; 400 mW
CR558HP1	239,24-2	7-siffrig decimalräknare, EEPROM, binär kodavkodare
CR558HP2	2103.16-6	24-bitars skiftregister, EPROM 16×24; 310 mW
KR568-serien MOS ROM; +5, +12, -5V
KR568RE1	2120.24-3	ROM statisk typ 2Kx8; 700 ns
KR568RE2	2121.28-5	ROM 8Kx8; 250 ns; 420 mW
KR568RE3	2121.28-5	ROM 16Kx8; 550 ns; 315 mW
Serie 573 PROM
K573PP2	2120.24-1.02	EEPROM 2Kx8; 350 ns; +5V; 590 mW
К573РР21	2120.24-1.02	EEPROM 1Kx8; 350 ns; +5V; 590 mW
К573РР22	2120.24-1.02	EEPROM 1Kx8; 350 ns; +5V; 590 mW
K573RF1	210B.24-5	PROM med UV-radering 1Kx8; 450 ns; 820 mW
K573RF2	210B.24-5	PROM med UV-radering 2Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF3	210B.24-5	PROM med UV-radering 4Kx16; 400 ns; +5V; 200 mW
K573RF3A	210B.24-5	PROM med UV-radering 4Kx16; 550 ns; +5V; 446 mW
K573RF3B	210B.24-5	PROM med UV-radering 4Kx16; 800 ns; +5V; 446 mW
K573RF4A	2121.28-8	PROM med UV-radering 8Kx8; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF4B	2121.28-8	PROM med UV-radering 8Kx8; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF5	210B.24-5	PROM med UV-radering 2Kx8; 450 ns; +5V; 525 mW
K573RF6A	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 8Kx8; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF6B	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 8Kx8; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF7	2121.28-6	PROM med UV-radering 32Kx8; 300 ns; 600 mW
K573RF11	210B.24-5	PROM med UV-radering 512×8; 450 ns; 820 mW
K573RF12	210B.24-5	PROM med UV-radering 512×8; 450 ns; 820 mW
K573RF13	210B.24-5	PROM med UV-radering 1Kx8; 450 ns; 820 mW
K573RF14	210B.24-5	PROM med UV-radering 1Kx8; 450 ns; 820 mW
K573RF21	210B.24-5	PROM med UV-radering 1Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF22	210B.24-5	PROM med UV-radering 1Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF23	210B.24-5	PROM med UV-radering 2Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF24	210B.24-5	PROM med UV-radering 2Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF31	210B.24-5	PROM med UV-radering 2Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF32	210B.24-5	PROM med UV-radering 2Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF33	210B.24-5	PROM med UV-radering 2Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF34	210B.24-5	PROM med UV-radering 1Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF41A	2121.28-8	PROM med UV-radering 4Kx8; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF41B	2121.28-8	PROM med UV-radering 4Kx8; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF42A	2121.28-8	PROM med UV-radering 4Kx8; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF42B	2121.28-8	PROM med UV-radering 4Kx8; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF43A	2121.28-8	PROM med UV-radering 8Kx4; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF43B	2121.28-8	PROM med UV-radering 8Kx4; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF44A	2121.28-8	PROM med UV-radering 8Kx4; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF44B	2121.28-8	PROM med UV-radering 8Kx4; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF61A	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 4Kx8; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF61B	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 4Kx8; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF62A	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 4Kx8; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF62B	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 4Kx8; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF63A	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 8Kx4; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF63B	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 8Kx4; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF64A	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 8Kx4; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF64B	2121.28-6.04	PROM med UV-radering 8Kx4; 450 ns; +5V; 790 mW

Se även

Anteckningar

Litteratur

Alishov N. I., Nesterenko N. V., Novikov B. V. et al Kapitel 2.3 LSI-minne för att bygga internt minne // Handbook of personal computers / Pod. ed. motsvarande medlem Vetenskapsakademin för den ukrainska SSR B. N. Malinovsky. - K . : "Teknik", 1990. - 384 sid. - 45 000 exemplar. — ISBN 5-335-00168-2 .
Alla inhemska mikrokretsar. - 2:a uppl., reviderad och kompletterad. - M . : Förlag "Dodeka-XXI", 2004. - 400 sid. — ISBN 5-94120-034-X .
S. V. Yakubovsky, N. A. Barkanov, L. I. Nisselson et al. Analoga och digitala integrerade kretsar. Referensmanual. / ed. S. V. Yakubovsky .. - 2:a uppl., Reviderad. och ytterligare .. - M . : Radio och kommunikation, 1985. - 432 sid. — (Design av REA på integrerade kretsar).
S. V. Yakubovsky, L. I. Nisselson, V. I. Kuleshova et al. Digitala och analoga integrerade kretsar: en handbok. / ed. S. V. Yakubovsky. - M . : Radio och kommunikation, 1990. - 496 sid. — ISBN 5-256-00259-7 .
V.V. Baranov, N.V. Bekin, A. Yu. Gordonov. Halvledar LSI-lagringsenheter. Handbok / ed. MEN . Yu Gordonova och Yu N Dyakova .. - M . : Radio och kommunikation, 1987. - 360 sid.

Länkar

Museum of Electronic Rarities

Mikrokontroller

Arkitektur

8-bitars	MCS-51 MCS-48 BILD AVR Z8 H8 COP8 68HC08 68HC11
16-bitars	MSP430 MCS-96 MCS-296 PIC24 MAXQ Nios 68HC12 68HC16 CR16/C
32-bitars	RISC-V ÄRM MIPS AVR32 PIC32 683XX M32R superh Nios II Am29 000 LatticeMico32 MPC5xx PowerQUICC Parallax propeller

Tillverkare

Komponenter

Periferi

Gränssnitt

FreeRTOS
μClinux
BeRTOS
ChibiOS/RT
eCos
RTEMS
Unison
MicroC/OS-II
Kärna
Contiki

Programmering