SDRAM

SDRAM ( Eng.  Synchronous Dynamic Random A ccess Memory - Synchronous dynamic random access memory) är en  typ av lagringsenhet som används i en dator och andra digitala enheter som RAM .

Till skillnad från andra typer av DRAM som använde asynkront datautbyte , returneras inte svaret på styrsignalen som tas emot av enheten omedelbart, utan endast när nästa klocksignal tas emot . Klocksignaler låter dig organisera arbetet med SDRAM i form av en tillståndsmaskin som utför inkommande kommandon. I det här fallet kan inkommande kommandon anlända i form av en kontinuerlig ström, utan att vänta tills exekveringen av tidigare instruktioner är klar ( piping ): omedelbart efter skrivkommandot kan nästa kommando anlända utan att vänta på att data ska skrivas. Mottagandet av läskommandot gör att data visas vid utgången efter ett visst antal cykler - denna tid kallas fördröjning och är en av de viktiga egenskaperna hos denna typ av enhet.

Uppdateringscykler utförs på en gång för hela raden, till skillnad från tidigare typer av DRAM , som uppdaterade data på en intern räknare med hjälp av CAS-kommandouppdateringsmetoden före RAS.

Användningshistorik

Massproduktionen av SDRAM började 1997. Inledningsvis erbjöds denna typ av minne som ett alternativ till dyrt videominne ( VRAM ), men snart blev SDRAM populärt och började användas som RAM, och ersatte gradvis andra typer av dynamiskt minne. DDR-tekniker som följde gjorde SDRAM ännu mer effektivt. Utvecklingen av DDR SDRAM följdes av standarderna DDR2 SDRAM , DDR3 SDRAM , DDR4 SDRAM och DDR5 SDRAM .

SDR SDRAM

Med tillkomsten av efterföljande standarder blev den första SDRAM-standarden känd som SDR (Single Data Rate - i motsats till Double Data Rate). Under en cykel togs ett styrkommando emot och ett dataord sändes. Typiska klockhastigheter var 66, 100 och 133 MHz. SDRAM-chips producerades med databussar av olika bredder (vanligtvis 4, 8 eller 16 bitar), men som regel var dessa chips en del av en 168-stifts DIMM -modul , som gjorde att du kunde läsa eller skriva 64 bitar (i versionen utan paritet ) eller 72 bitar (med paritet) i en cykel.

Användningen av databussen i SDRAM visade sig vara komplicerad av en fördröjning på 2 eller 3 cykler mellan ingången av lässignalen och uppkomsten av data på databussen, medan det inte borde finnas någon fördröjning under skrivningen. Det krävde utvecklingen av en ganska komplex styrenhet som inte skulle tillåta att använda databussen för att skriva och läsa samtidigt.

Styrsignaler

Kommandona som styr SDR SDRAM-minnesmodulen skickas till modulkontakterna via 7 signallinjer. På en av dem tillförs en klocksignal, vars främre (stigande) flanker anger tidpunkterna vid vilka styrkommandon läses från de återstående 6 kommandoraderna. Namnen (inom parentes - avkodning av namn) på de sex kommandoraderna och beskrivningarna av kommandona ges nedan:

• CKE ( English  clock enable , clock signal resolution ) - när signalnivån är låg är klocksignalen till mikrokretsen blockerad. Kommandon bearbetas inte, tillståndet för andra kommandorader ignoreras.
• / CS ( English  chip select , IC selection ) - när signalnivån är hög ignoreras alla andra styrlinjer, förutom CKE. Fungerar som ett NOP -kommando (ingen operatör).
• DQM ( engelsk  datamask , datamask ) - en hög nivå på denna rad förbjuder läsning/skrivning av data. När ett skrivkommando ges samtidigt skrivs ingen data till DRAM. Närvaron av denna signal i de två cyklerna som föregår läscykeln resulterar i att ingen data läses från minnet.
• /RAS ( row address strobe ,  row address strobe ) - trots namnet är detta inte en strobe, utan bara en kommandobit. Tillsammans med /CAS och /WE kodar ett av 8 kommandon.
• /CAS ( column address strobe ,  column address strobe ) - trots namnet är detta inte en strobe, utan bara en kommandobit. Tillsammans med /RAS och /WE kodar ett av 8 kommandon.
• /WE ( eng.  skrivaktivering , skrivbehörighet) - kodar tillsammans med /RAS och /CAS ett av 8 kommandon.

SDRAM-enheter är internt uppdelade i 2 eller 4 oberoende minnesbanker. Adressingångarna för den första och andra minnesbanken (BAO och BA1) bestämmer vilken bank den aktuella instruktionen är avsedd för.

Följande kommandon accepteras:

Exempel

• SODIMM, 256 MB, BGA- chips
• DDR SDRAM -minnesmoduler (med och utan kylfläns)
• Ett 32MB SDR SDRAM-chip

Länkar

• iXBT: SDRAM FAQ Arkiverad 11 oktober 2007 på Wayback Machine