Integrerad krets

Den aktuella versionen av sidan har ännu inte granskats av erfarna bidragsgivare och kan skilja sig väsentligt från versionen som granskades den 23 maj 2022; kontroller kräver 8 redigeringar .

Integrerad krets ( IC , IC, engelska  IC ); mikrokrets , m / s , chip ( eng.  chip : "tunn platta": ursprungligen hänvisade termen till en mikrokretskristallplatta ) - mikroelektronisk enhet  - en elektronisk krets av godtycklig komplexitet (kristall) gjord på ett halvledarsubstrat ( wafer eller film) och placeras i ett icke- separerbart hölje eller utan det i fallet med inkludering i mikroenheten [1].

De flesta mikrokretsar tillverkas i ytmonterade förpackningar .

Ofta förstås en integrerad krets (IC) som en kristall eller en film med en elektronisk krets, och en mikrokrets (MC) är en IC som är innesluten i ett hölje. Uttrycket chip- komponenter betyder samtidigt " komponenter för ytmontering " (till skillnad från komponenter för genomlödning av hål på kortet ).

Historik

Den 7 maj 1952 lade den brittiske radioingenjören Geoffrey Dummer först fram idén om att kombinera många elektroniska standardkomponenter i en monolitisk halvledarkristall . Genomförandet av dessa förslag under dessa år kunde inte ske på grund av otillräcklig utveckling av teknik.  

I slutet av 1958 och under första halvan av 1959 skedde ett genombrott inom halvledarindustrin. 1959 utvecklade Eduard Keondjian den första prototypen av en integrerad krets. [2] [3] [4] [5] Tre män som representerade tre privata amerikanska företag löste tre grundläggande problem som förhindrade skapandet av integrerade kretsar. Jack Kilby från Texas Instruments patenterade fusionsprincipen, skapade de första imperfekta IC-prototyperna och förde dem till massproduktion. Kurt Lehovec från Sprague Electric Company uppfann en metod för att elektriskt isolera komponenter bildade på ett enda halvledarchip ( pn junction isolation ) .  Robert Noyce från Fairchild Semiconductor uppfann en metod för att elektriskt ansluta IC-komponenter ( aluminiumplätering ) och föreslog en förbättrad version av komponentisolering baserad på Jean Hoernis senaste planarteknologi . Den 27 september 1960 skapade Jay Lasts grupp den första fungerande halvledar- IC på Fairchild Semiconductor baserat på idéerna från Noyce och Ernie. Texas Instruments , som ägde patentet för Kilbys uppfinning, startade ett patentkrig mot konkurrenter, som slutade 1966 med ett förlikningsavtal om teknologisk korslicensiering .   

De tidiga logiska IC:erna i dessa serier byggdes bokstavligen från standardkomponenter , vars storlekar och konfigurationer bestämdes av den tekniska processen. Kretsingenjörer som designade logiska IC:er av en viss familj arbetade med samma typiska dioder och transistorer. Åren 1961-1962. Designparadigmet bröts av Sylvanias huvuddesigner Tom Longo , som banade väg för användningen av olika transistorkonfigurationer i en enda IC , beroende på deras funktion i kretsen. I slutet av 1962 lanserade Sylvania Longos första familj av transistor-transistorlogik (TTL), historiskt sett den första typen av integrerad logik som lyckades få ett permanent fotfäste på marknaden. Inom analoga kretsar gjordes ett genombrott av denna nivå 1964-1965 av Fairchilds operationsförstärkares designer Bob Widlar .

Den första mikrokretsen i Sovjetunionen skapades 1961 vid TRTI (Taganrog Radio Engineering Institute) under ledning av LN Kolesov [6] . Denna händelse uppmärksammades av det vetenskapliga samfundet i landet, och TRTI godkändes som ledare i systemet för ministeriet för högre utbildning på problemet med att skapa högtillförlitlig mikroelektronisk utrustning och automatisera dess produktion. L. N. Kolesov själv utsågs till ordförande för samordningsrådet för detta problem.

Den första i Sovjetunionen hybrid tjockfilmsintegrerad krets (serie 201 "Tropa") utvecklades 1963-65 vid Research Institute of Precision Technology (" Angstrem "), serieproduktion sedan 1965. Specialister från NIEM (nuvarande Argon Research Institute ) deltog i utvecklingen [7] [8] .

Den första integrerade halvledarkretsen i Sovjetunionen skapades på grundval av planteknologi , utvecklad i början av 1960 vid NII-35 (då omdöpt till NII "Pulsar" ) av ett team, som senare överfördes till NIIME (" Micron ") . Skapandet av den första inhemska integrerade kiselkretsen var fokuserad på utveckling och produktion med militär acceptans av en serie integrerade kiselkretsar TS-100 (37 element - motsvarande kretskomplexiteten hos en utlösare , en analog till de amerikanska ICs av SN - 51 -serien från Texas Instruments ). Prototyper och produktionsprover av integrerade kretsar av kisel för reproduktion erhölls från USA. Arbetet utfördes vid NII-35 (direktör Trutko) och Fryazinsky Semiconductor Plant (direktör Kolmogorov) under en försvarsorder för användning i en autonom höjdmätare för ett styrsystem för ballistiska missiler . Utvecklingen inkluderade sex typiska integrerade plana kiselkretsar av TS-100-serien och, med organisationen av pilotproduktion, tog tre år vid NII-35 (från 1962 till 1965). Det tog ytterligare två år att bemästra fabrikstillverkningen med militär acceptans i Fryazino (1967) [9] .

Parallellt utfördes arbetet med utvecklingen av en integrerad krets vid Central Design Bureau vid Voronezh Plant of Semiconductor Devices (nu JSC NIIET ). 1965, under ett besök i VZPP av ministern för elektronisk industri A.I. Shokin, fick anläggningen i uppdrag att utföra forskningsarbete för att skapa en monolitisk krets av kisel - FoU "Titan" (ministeriets order nr 92 av 16 augusti , 1965), vilket var före schemat som slutförts i slutet av året. Ämnet lämnades framgångsrikt till statskommissionen, och en serie av 104 diod-transistor-logikkretsar blev den första fasta prestationen inom området solid state-mikroelektronik, vilket återspeglades i ordern från ministeriet för ekonomisk utveckling den 30 december, 1965 nr 403 [10] [11] .

Klassificering

Efter grad av integration

Beroende på graden av integration används följande namn på integrerade kretsar:

Tidigare användes även nu föråldrade namn: en ultra-storskalig integrerad krets (ULSI) - från 1-10 miljoner till 1 miljard element i en kristall [12] [13] och, ibland, en giga-stor integrerad krets ( GBIC) - mer än 1 miljard element i en kristall. För närvarande, på 2010-talet, används praktiskt taget inte namnen "UBIS" och "GBIS", och alla mikrokretsar med mer än 10 tusen element klassificeras som VLSI.

Enligt tillverkningsteknik

Av typen av signal som bearbetas

Analoga IC  - in- och utsignaler varierar som en kontinuerlig funktion från positiv till negativ matningsspänning.

Digitala mikrokretsar  - in- och utsignaler kan ha två värden: en logisk nolla eller en logisk, som var och en motsvarar ett visst spänningsområde. Till exempel, för mikrokretsar av TTL -typ med en matningsspänning på +5 V, motsvarar spänningsområdet 0 ... 0,4 V en logisk nolla, och intervallet från 2,4 till 5 V motsvarar en logisk; för logiska ESL-chips vid en matningsspänning på -5,2 V är området från -0,8 till -1,03 V en logisk enhet, och från -1,6 till -1,75 V är en logisk nolla.

Analog-till-digital IC :er kombinerar former av digital och analog signalbehandling , såsom en signalförstärkare och en analog-till-digital-omvandlare .

Utnämning

En integrerad krets kan ha en komplett, godtyckligt komplex funktionalitet - upp till en hel mikrodator ( enkelchips mikrodator ).

Analoga kretsar

Analog integrerad ( mikro ) krets ( AIS , AIMS ) är en integrerad krets vars in- och utsignaler ändras enligt lagen för en kontinuerlig funktion (det vill säga de är analoga signaler ).

Ett laboratorieprov av en analog IC skapades av Texas Instruments i USA 1958 . Det var en fasförskjutningsgenerator . 1962 dök den första serien av analoga mikrokretsar upp - SN52. Den hade en lågfrekvent lågfrekvent förstärkare med låg effekt , en operationsförstärkare och en videoförstärkare [14] .

I Sovjetunionen erhölls ett stort sortiment av analoga integrerade kretsar i slutet av 1970-talet. Deras användning gjorde det möjligt att öka tillförlitligheten hos enheter, förenkla utrustningsinstallationen och ofta till och med eliminera behovet av underhåll under drift [15] .

Nedan finns en ofullständig lista över enheter vars funktioner kan utföras av analoga IC:er. Ofta ersätter en mikrokrets flera av dem samtidigt (till exempel innehåller K174XA42 alla noder i en superheterodyn FM -radiomottagare [16] ).

Analoga mikrokretsar används i ljudförstärknings- och ljudåtergivningsutrustning, i videobandspelare , tv -apparater , kommunikationsteknik, mätinstrument, analoga datorer , sekundära nätaggregat , etc.

I analoga datorer I strömförsörjning I videokameror och kameror I ljudförstärknings- och ljudåtergivningsutrustning I mätinstrument I radiosändare och mottagare På tv-apparater

Digitala kretsar

En digital integrerad krets (digital krets) är en integrerad krets utformad för att omvandla och bearbeta signaler som förändras enligt lagen för en diskret funktion.

Digitala integrerade kretsar är baserade på transistoromkopplare som kan vara i två stabila tillstånd: öppen och stängd. Användningen av transistoromkopplare gör det möjligt att skapa olika logik-, trigger- och andra integrerade kretsar. Digitala integrerade kretsar används i diskreta informationsbehandlingsenheter för elektroniska datorer ( datorer ), automationssystem etc.

Digitala integrerade kretsar har ett antal fördelar jämfört med analoga:

Analog-till-digitala kretsar

Analog-till-digital integrerad krets (analog-till-digital mikrokrets) är en integrerad krets designad för att omvandla signaler som ändras enligt lagen om en diskret funktion till signaler som ändras enligt lagen om en kontinuerlig funktion , och vice versa.

Ofta utför en mikrokrets funktionerna för flera enheter samtidigt (till exempel innehåller successiva approximations-ADC en DAC, så att de kan utföra tvåvägskonverteringar). Lista över enheter (ofullständig), vars funktioner kan utföras av analog-till-digital IC:

Produktion

Huvudelementet i analoga mikrokretsar är transistorer ( bipolära eller fält ). Skillnaden i transistortillverkningsteknik påverkar avsevärt egenskaperna hos mikrokretsar. Därför anges ofta tillverkningstekniken i beskrivningen av mikrokretsen för att betona de allmänna egenskaperna hos mikrokretsens egenskaper och möjligheter. Modern teknik kombinerar bipolära och fälteffekttransistorteknologier för att uppnå förbättrad chipprestanda.

Design

Designnivåer:

såväl som

För närvarande (2022) är de flesta av de integrerade kretsarna designade med hjälp av specialiserade CAD-system , som låter dig automatisera och avsevärt påskynda produktionsprocesser , till exempel för att erhålla topologiska fotomasker.

Produktion av analoga mikrokretsar

För närvarande tillverkas analoga mikrokretsar av många företag: Analog Devices , Analog Microelectronics, Maxim Integrated Products, National Semiconductor, Texas Instruments, etc.

Övergången till submikronstorlekar av integrerade element komplicerar utformningen av AIMS. Till exempel har MOSFET-enheter med kort grindlängd ett antal funktioner som begränsar deras användning i analoga block: en hög nivå av lågfrekvent flimmerbrus ; en stark spridning av tröskelspänning och lutning, vilket leder till uppkomsten av en stor offsetspänning av differential- och operationsförstärkare ; låg utgång med låg signalmotstånd och förstärkning av kaskader med aktiv belastning ; låg genomslagsspänning för pn-övergångar och drain - source gapet , vilket orsakar en minskning av matningsspänningen och en minskning av det dynamiska området [22] .

Produktion av digitala mikrokretsar 

Teknik efter typ av logik:

Med samma typ av transistorer kan mikrokretsar byggas med olika metoder, såsom statiska eller dynamiska .

CMOS och TTL (TTLSh) teknologier är de vanligaste chiplogikerna. Där det är nödvändigt att spara strömförbrukning används CMOS-teknik, där hastighet är viktigare och strömförbrukning inte krävs används TTL-teknik. Den svaga punkten med CMOS-mikrokretsar är sårbarheten för statisk elektricitet  - det räcker att röra vid mikrokretsens utgång med handen, och dess integritet garanteras inte längre. Med utvecklingen av TTL- och CMOS-teknologier närmar sig mikrokretsar när det gäller parametrar och som ett resultat är till exempel 1564-serien av mikrokretsar gjorda med hjälp av CMOS-teknik, och funktionaliteten och placeringen i höljet liknar de för TTL teknologi.

Chips tillverkade med ESL-teknik är de snabbaste, men också de mest energikrävande, och användes vid tillverkning av datateknik i de fall den viktigaste parametern var beräkningshastigheten. I Sovjetunionen tillverkades de mest produktiva datorerna av typen ES106x på ESL-mikrokretsar. Nu används denna teknik sällan.

Tillverkning av halvledarmikrokretsar 

Halvledarmikrokrets - alla element och interelementanslutningar är gjorda på en halvledarkristall (substrat).

Substrat  - vanligtvis en enkristallhalvledarskiva , designad för att skapa filmer , heterostrukturer och växa enkristallskikt med hjälp av epitaxiprocessen ( hetereroepitaxi , homoepitaxi , endotaxi ), kristallisation , etc. [23] Kisel , germanium , galliumarsenid , glas - keramik [24] ] , safir är ett av materialen för mikrokretssubstrat.

Teknologisk process

Vid tillverkning av mikrokretsar används metoden för fotolitografi (projektion, kontakt, etc.), medan kretsen bildas på ett substrat (vanligtvis kisel ) som erhålls genom att skära kiselenkristaller till tunna skivor med diamantskivor. På grund av de små linjära dimensionerna hos elementen i mikrokretsar övergavs användningen av synligt ljus och till och med nära ultraviolett strålning under belysning.

Som ett kännetecken för mikrochipproduktionsprocessen, de minsta kontrollerade dimensionerna av fotorepeatertopologin (kontaktfönster i kiseloxid, grindbredd i transistorer, etc.) och, som ett resultat, dimensionerna för transistorer (och andra element) på ett chip är angivna. Denna parameter är dock beroende av ett antal andra produktionsmöjligheter: renheten hos det erhållna kislet, egenskaperna hos injektorerna, fotolitografimetoder, etsnings- och sputtermetoder .

På 1970-talet var den minsta kontrollerbara storleken på massproducerade mikrokretsar 2-8 µm , på 1980 - talet reducerades den till 0,5-2 µm [25] .

På 1990-talet, på grund av en ny omgång av "plattformskrig", började experimentella metoder att introduceras i produktionen och förbättrades snabbt: i början av 1990-talet tillverkades processorer (till exempel de tidiga Pentium och Pentium Pro ) med användning av 0,5-0,6 mikronteknologi (500-600 nm), sedan nådde tekniken 250-350 nm. Följande processorer ( Pentium II , K 6-2 +, Athlon ) tillverkades redan med 180 nm-teknik. Under 2002-2004 bemästrades 90 nm tillverkningsprocesser (Winchester AMD 64, Prescott Pentium 4) [25] .

Följande processorer tillverkades med användning av UV-ljus ( ArF excimerlaser , våglängd 193 nm). I genomsnitt skedde introduktionen av nya tekniska processer av industriledare enligt ITRS-planen vartannat år, samtidigt som antalet transistorer per ytenhet fördubblades: 45 nm (2007), 32 nm (2009), 22 nm (2011) [ 26] [27] , 14 -nm (2014) [28] , 10 nm (2018), 5 nm (2020), 3 nm (2022) [29] .

Under 2015 fanns det uppskattningar om att införandet av nya tekniska processer kommer att sakta ner [30] .

Kvalitetskontroll

För att kontrollera kvaliteten på integrerade kretsar används de så kallade teststrukturerna i stor utsträckning .

Chip-serien

Analoga och digitala mikrokretsar tillverkas i serie. En serie är en grupp mikrokretsar som har en enda design och teknisk design och är avsedda för gemensam användning. Mikrokretsar av samma serie har som regel samma spänningar av strömförsörjning, matchas när det gäller ingångs- och utgångsmotstånd, signalnivåer.

Corps

Ett mikrokretshus  är en struktur utformad för att skydda mikrokretskristallen från yttre påverkan, såväl som för bekvämligheten att montera mikrokretsen i en elektronisk krets. Den innehåller själva kroppen gjord av dielektriskt material (plast, mindre ofta keramik), en uppsättning ledare för elektrisk anslutning av kristallen med externa kretsar med hjälp av ledningar , märkning.

Det finns många alternativ för mikrokretspaket, olika i antal mikrokretsstift, monteringsmetod och driftsförhållanden. För att förenkla monteringstekniken försöker mikrokretstillverkare att förena paket genom att utveckla internationella standarder.

Ibland produceras mikrokretsar i en ramlös design - det vill säga en kristall utan skydd. Förpackningslösa chips är vanligtvis utformade för montering i en hybrid mikroenhet. För massbilliga produkter är direkt montering på ett kretskort möjligt .

Specifika titlar

Intel var först med att tillverka en mikrokrets som utförde funktionerna hos en mikroprocessor ( engelsk mikroprocessor ) - Intel 4004 . Baserat på de förbättrade 8088- och 8086 - mikroprocessorerna släppte IBM sina välkända persondatorer .  

Mikroprocessorn utgör kärnan i datorn, ytterligare funktioner, såsom kommunikation med kringutrustning , utfördes med hjälp av specialdesignade chipset ( chipset ). För de första datorerna uppskattades antalet chips i uppsättningarna till tiotals och hundratals; i moderna system är detta en uppsättning av ett, två eller tre chips. På senare tid har det funnits trender med gradvis överföring av styrkretsfunktioner (minneskontroller, PCI Express -busskontroller ) till processorn.

Mikroprocessorer med inbyggt RAM och ROM , minnes- och I/O-kontroller och andra tilläggsfunktioner kallas mikrokontroller .

Världsmarknaden

2017 uppskattades den globala marknaden för integrerade kretsar till 700 miljarder USD [31]

De största tillverkarna och exportörerna finns i Asien: Singapore (115 miljarder USD), Sydkorea (104 miljarder USD), Kina (80,1 miljarder USD) och Malaysia (55,7 miljarder USD). Den största europeiska exportören är Tyskland (1,4 miljarder dollar), den amerikanska är USA (28,9 miljarder dollar). De största importörerna är Kina (207 miljarder USD), Hongkong (168 miljarder USD), Singapore (57,8 miljarder USD), Sydkorea (38,6 miljarder USD) och Malaysia (37,3 miljarder USD).

Rättsskydd

Rysk lagstiftning ger rättsligt skydd för topologier för integrerade kretsar. Topologin för en integrerad krets är det rumsligt-geometriska arrangemanget av uppsättningen av element i en integrerad krets och anslutningarna mellan dem fixerade på en materialbärare (artikel 1448 i den ryska federationens civillag ).

Författaren till den integrerade kretstopologin äger följande intellektuella rättigheter:

  1. exklusiv rättighet;
  2. upphovsrätt.

Författaren till topologin för den integrerade kretsen äger också andra rättigheter, inklusive rätten till ersättning för användningen av tjänststopologin.

Ensamrätten till topologi gäller i tio år. Rättighetsinnehavaren kan under denna period, om han så önskar, registrera topologin hos Federal Service for Intellectual Property, Patent and Trademarks . [32]

Se även

Anteckningar

  1. ↑ Teknik för tillverkning av mikrokretsar // 1. Allmän information om mikrokretsar och deras tillverkningsteknik. (inte tillgänglig länk) . Hämtad 11 oktober 2010. Arkiverad från originalet 25 december 2012. 
  2. ↑ Keonjian Distinguished Professorship hedrar livet och arbetet av "Fader of Microelectronics  "  ? . Nyheter | Ingenjörshögskolan | University of Arizona (6 oktober 2009). Tillträdesdatum: 18 oktober 2022.
  3. ↑ Robin Shannon. Linjära integrerade kretsar . — Vetenskapliga e-resurser, 2019-03-18. — S. 9 - "Noyce beskrev en integratör som han diskuterade med Keonjian". - 312 sid. - ISBN 978-1-83947-241-1 .
  4. ↑ evergreen74, evergreen74. Hur görs ett integrerat chip   ? . Evergreen74 (14 oktober 2022). - Del i artikeln, där sodr. inf: "Vem utvecklade integrerat chip? Jack Kilby, Robert Noyce, Edward Keonjian, Frank Wanlass. Hämtad 18 oktober 2022.
  5. ↑ Överlevde för att berätta . www.goodreads.com . - information finns i delen: "1959 designade Keonjian den första prototypen av integrerad krets". Tillträdesdatum: 18 oktober 2022.
  6. ↑ Se särskilt Mekhantsev E. B. Om en halvt bortglömd händelse (till femtioårsjubileet av mikroelektronik), Electronics: Science, technology, business, nummer 7, 2009 http://www.electronics.ru/journal/article/293 Arkivkopia från 19 oktober 2013 på Wayback Machine
  7. ↑ Angstroms berättelse Arkiverad 2 juni 2014 på Wayback Machine
  8. ↑ Museum of Electronic Rarities - Hybrider - Serie 201 . Hämtad 20 maj 2014. Arkiverad från originalet 21 maj 2014.
  9. ↑ Skapandet av den första inhemska mikrokretsen . Chip News #8, 2000. Hämtad 11 juni 2008. Arkiverad från originalet 20 februari 2008.
  10. ↑ Petrov L., Udovik A. Vem uppfann ... den integrerade kretsen? // Elektroniska komponenter. 2013. Nr 8. s. 10-11 . Hämtad 23 april 2021. Arkiverad från originalet 23 april 2021.
  11. ↑ History of domestic electronics, 2012, volym 1, ed. Direktör för avdelningen för radio-elektronisk industri vid Rysslands industri- och handelsminister Yakunin A. S., s. 632
  12. ↑ Vad är Ultra Large-Scale Integration (ULSI)? — Definition från Techopedia . Datum för åtkomst: 21 december 2014. Arkiverad från originalet 21 december 2014.
  13. ↑ Standards and Quality, Issues 1-5 1989, s. 67 “Mycket stor integrerad krets (VLSI) - cirka 100 tusen element; ultrastor integrerad krets (UBIS) - mer än 1 miljon element . Hämtad 1 juli 2022. Arkiverad från originalet 11 april 2022.
  14. ↑ Nefedov A.V., Savchenko A.M., Feoktistov Yu.F. Utländska integrerade kretsar för industriell elektronisk utrustning: en handbok. - M . : Energoatomizdat, 1989. - P. 4. - 300 000 exemplar.  — ISBN 5-283-01540-8 .
  15. ↑ Yakubovsky S.V., Barkanov N.A., Nisselson L.I. Analoga och digitala integrerade kretsar. Referensmanual. - 2:a uppl. - M . : "Radio och kommunikation", 1985. - S. 4-5.
  16. ↑ K174XA42 - FM-radio med ett chip . Hämtad 12 juni 2018. Arkiverad från originalet 12 juni 2018.
  17. ↑ trycksensorer . Hämtad 12 juni 2018. Arkiverad från originalet 17 maj 2012.
  18. ↑ Magnetiskt styrda IC:er baserade på kisel Hall-sensorer  (otillgänglig länk)
  19. ↑ Integrerade analoga termiska sensorer i MK-kretsar . Hämtad 12 juni 2018. Arkiverad från originalet 12 juni 2018.
  20. ↑ Maxim Integral Sensors . Hämtad 12 juni 2018. Arkiverad från originalet 12 juni 2018.
  21. ↑ Skyddad av kap. 74 "Rätten till topologin för integrerade kretsar" i Ryska federationens civillag som immateriell egendom ( artikel 1225 "Skyddade resultat av intellektuell verksamhet och individualiseringsmedel" ).
  22. ↑ Design av analoga mikrokretsar på MOSFETs. Del 1. Småsignalmodell av en MOSFET med bruskällor . Hämtad 12 juni 2018. Arkiverad från originalet 12 juni 2018.
  23. ↑ Bakhrushin V. E. Erhållande av och fysikaliska egenskaper hos lättlegerade skikt av flerskiktskompositioner. - Zaporozhye: KPU, 2001. - 247 sid.
  24. ↑ Rostec ökade produktionen av komponenter för mikrokretsar // Gazeta.ru , 4 augusti 2022
  25. ↑ 1 2 Är 14nm slutet på vägen för kiselchips? Arkiverad 19 augusti 2015 på Wayback Machine // ExtremeTech, september 2011
  26. ↑ H. Iwai, Roadmap for 22 nm and beyond Arkiverad 23 september 2015 på Wayback Machine / Microelectron. Eng. (2009), doi:10.1016/j.mee.2009.03.129
  27. ↑ Arkiverad kopia . Hämtad 15 augusti 2015. Arkiverad från originalet 30 januari 2013.
  28. ↑ Arkiverad kopia . Hämtad 15 augusti 2015. Arkiverad från originalet 24 juli 2015.
  29. ↑ besök i Sydkorea - USA:s president Joseph Biden signerade en kiselwafer med prover av de första 3-nm-chipsen tillverkade av Samsung Electronics .
  30. ↑ Moore's Law Buckles när Intels Tick-Tock-cykel saktar ner Arkiverad 18 augusti 2015 på Wayback Machine 16 juli 2015
  31. ↑ Utrikeshandel med integrerade kretsar enligt atlas.media.mit.edu-katalogen . Hämtad 6 juli 2019. Arkiverad från originalet 6 juli 2019.
  32. ↑ RÄTTEN TILL TOPOLOGIER FÖR INTEGRERAD MIKROKRETS . Hämtad 29 november 2010. Arkiverad från originalet 6 mars 2014.

Litteratur

  • Jean M. Rabai, Ananta Chandrakasan, Borivoj Nikolic. Digitala integrerade kretsar. Designmetodik = Digitala integrerade kretsar. - 2:a uppl. - M. : Williams , 2007. - 912 sid. — ISBN 0-13-090996-3 .
  • Chernyaev V.N. Teknik för produktion av integrerade kretsar och mikroprocessorer / Chernyaev V.N. - M . : Radio och kommunikation, 1987. - 464 s. — Inget ISBN, UDC 621.38 Ch-498.
  • Parfenov O.D. Teknik för mikrokretsar / Parfenov O.D. - M . : Högre. skola, 1986. - 318 sid. — Inget ISBN, UDC 621.3.049.77.
  • Efimov I.E., Kozyr I.Ya., Gorbunov Yu.I. Mikroelektronik. - M . : Högre skola, 1987. - 416 sid.
  • Broday I., Merey J. Fysiska grunder för mikroteknologi. — M .: Mir, 1985. — 496 sid. — ISBN 200002876210.
  • Pierce K., Adams A., Katz L. VLSI-teknik. I 2 böcker. — M .: Mir, 1986. — 404 sid. - 9500 exemplar.
  • Pasynkov VV, Chirkin LK Halvledarenheter: Lärobok. - 8:e korrigeringen .. - St. Petersburg. : Lan, 2006. - S. 335-336. — 480 s. - 3000 exemplar.
  • Ataev D. I., Bolotnikov V. A. Analoga integrerade kretsar för hushållsradioutrustning: En handbok. - M. : MPEI, 1991. - 240 sid. — ISBN 5-7046-0028-X .
  • Ataev D. I., Bolotnikov V. A. Analoga integrerade kretsar för TV-radioutrustning: En handbok. - M. : MPEI, 1993. - 184 sid. — ISBN 5-7046-0091-3 .
  • Ermolaev Yu. P., Ponomarev M. F., Kryukov Yu. G. Design och teknik för mikrokretsar / (GIS och BGIS). - M . : Sovjetisk radio, 1980. - 256 sid. — 25 000 exemplar.
  • Koledov L. A. Teknik och design av mikrokretsar, mikroprocessorer och mikroenheter. - M . : Sovjetisk radio, 1989. - 394 sid.
  • Koledov L. A. Teknik och design av mikrokretsar, mikroprocessorer och mikroenheter. - St Petersburg. : Lan, 2008. - 394 sid. - 2000 exemplar.  - ISBN 978-5-8114-0766-8 .
  • Yakubovsky S. V., Barkanov N. A., Nisselson L. I., Topeshkin M. N., Ushibyshev V. A. Analoga och digitala integrerade kretsar. - M .: Radio och kommunikation , 1985. - 432 sid. — (Design av REA på integrerade kretsar). — 60 000 exemplar.



  Gå till Wikidata-objektet  Ordböcker och uppslagsverk
 Halvledarpakettyper
Dubbel utgång
  • DO-204
  • DO-213/MELF
  • DO-214/SMA/SMB/SMC
  • SOD
Trestift
Slutsatser på en radSIP/SIL
Slutsatser i två rader
Uttag på fyra sidor
Matrisstift
Teknologi
se även